当天存储芯片股强势领涨阛阓，其中港股半导体宗旨与韩股存储巨头联动上扬。

　　律例发稿，澜起科技(06809.HK)涨6.09%、兆易改换(03896.HK)涨3.01%。

　　同时挂钩韩国芯片龙头的杠杆ETF同步飙升，两倍作念多海力士(07709.HK)涨18.50%、两倍作念多三星电子(07747.HK)涨12.54%。

　　率先来看一下韩股方面，韩国综结伙价指数开盘涨超5%，律例发稿涨超6%，三星电子、SK海力士区分大涨9.80%、13.14%，成为阛阓中枢驱能源。

　　中枢催化：英伟达HBM4供应方法落地，量产时点与GTC大会共振

　　英伟达下一代AI加快器“Vera Rubin”高带宽内存(HBM4)供应链已明确：三星电子与SK海力士双双入选中枢供应商。鉴于HBM4从晶圆制造至封装完成周期超六个月，两家厂商臆度最快于本月运行量产，时分节点与3月17日开幕的英伟达GTC大会高度契合，阛阓对新品本领细节与供应链动向高度暖热。

　　据行业音问，SK海力士将赓续英伟达2026年包括HBM3E在内的逾半数HBM总供应量；三星电子则有望主导Vera Rubin专属HBM4业务。

　　集邦议论预测，2026年SK海力士天下HBM比特产出份额为50%，较2025年59%回落；三星份额由20%升至28%，本领追逐与份额争夺态势权贵。

　　价钱走势：存储芯片延续强势，原厂控价才气突显

　　2026年2月总结：NAND涨势矫健，DRAM涨幅收窄

　　DRAM：现货价环比波动于-3%至+12%；DDR5-8Gb/DDR4-8Gb合约价区分环比+4%、+8%，涨幅较1月彰着趋缓。

　　NAND Flash：现货价环比+10%至+26%，合约价大幅上行37%至67%，供需弥留握续。

　　需求臆度：原厂集体开释乐不雅信号，AI算力基建成中枢引擎

　　SK海力士：臆度2026年DRAM与NAND比特需求同比增速区分超20%、15%至20%；刻下库存仅约4周，坦言“全年客户需求无法十足得志”。

　　铠侠：指出NAND中永远需求将以约20

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